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RF1K49157	文件：208.33 Kbytes Page：7 Pages	6.3A, 30V, Avalanche Rated, Single N-Channel LittleFET??Enhancement Mode Power MOSFET ThisSingleN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusinganadvancedMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RF1K49157	文件：149.84 Kbytes Page：8 Pages	6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Single N-Channel LittleFET??Power MOSFET ThisSingleN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusinganadvancedMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswi	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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RF1K49157

文件：208.33 Kbytes

Page：7 Pages

6.3A, 30V, Avalanche Rated, Single N-Channel LittleFET??Enhancement Mode Power MOSFET

ThisSingleN-ChannelpowerMOSFETismanufacturedusinganadvancedMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

RF1K49157

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6.3A, 30V, 0.030 Ohm, Single N-Channel LittleFET??Power MOSFET

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

详细参数

型号：
RF1K49157
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RF1K49157供应商更新时间2024-4-28 14:04:00

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