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BCR192U	文件：115.81 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistorArray PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BCR192W	文件：34.76 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR192W	文件：206.9 Kbytes Page：9 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=22kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR192W	文件：841.88 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BH192	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
BSS192	文件：75.16 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Pchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS192	文件：64.26 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT89package. FEATURES •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS •Linecurrentinterrupterintelephonesets •Relay,high-speedandlinetransformer	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS192	文件：372.5 Kbytes Page：16 Pages	240V,P-channelverticalD-MOStransistor 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeverticalDouble-DiffusedField-EffectTransistor(DMOSFET) inaSOT89(SC-62)mediumpowerandflatleadSurfaceMountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •DirectinterfacetoComplementary(C-MOS)transitorandTransisto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS192P	文件：301.17 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS192P	文件：79.38 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
C192	文件：580.55 Kbytes Page：40 Pages	MILITARYSPECIFCATIONSONBACK	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192C-K-G	文件：971.77 Kbytes Page：16 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C192C-K-G	文件：935.35 Kbytes Page：14 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED Multilayerceramiccapacitorsareavailableinavarietyofphysicalsizesandconfigurations,includingleadeddevicesandsurfacemountedchips.Leadedstylesincludemoldedandconformallycoatedpartswithaxialandradialleads.However	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET

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产品属性

产品编号：
REF192GS-REEL
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
系列：
REF19
包装：
卷带（TR）
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
2.5V
容差：
±0.4%
温度系数：
25ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
25µVp-p
电压 - 输入：
3V ~ 15V
电流 - 供电：
45µA
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC VREF SERIES 0.4% 8SOIC

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