选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)DPAK-3 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INTERSILTO-252 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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FAITO252 |
20 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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进口4 |
9960 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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FAITO252 |
899933 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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VBSEMI台湾微碧TO-252 |
22820 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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N/A |
2000 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
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VBsemi(台湾微碧)TO-252 |
105000 |
2112+ |
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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FAITO252 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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FAITO252 |
20 |
08+ |
只做原装,也只有原装! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscIPAK/TO-251 |
4000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiTO-252AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FTO252-2 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)DPAK3 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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FAIRCHILDTO-252 |
63258 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
3350 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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RFD16N06LE图片
RFD16N06LESM9A价格
RFD16N06LESM9A价格:¥3.1507品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的RFD16N06LESM9A多少钱,想知道RFD16N06LESM9A价格是多少?参考价:¥3.1507。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,RFD16N06LESM9A批发价格及采购报价,RFD16N06LESM9A销售排行榜及行情走势,RFD16N06LESM9A报价。
RFD16N06LESM9A中文资料Alldatasheet PDF
更多RFD16N06LE制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W ;RoHS Compliant: Yes
RFD16N06LESM9A功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube