选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INTERSILTO-252 |
2000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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onsemi(安森美)DPAK-3 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
23039 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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5000 |
公司存货 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
23039 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市嘉势达电子有限公司3年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
5 |
16+ |
百分百原装正品现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
107 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiTO-252AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
1498 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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FTO252-2 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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RFD16N06L图片
RFD16N06LESM9A价格
RFD16N06LESM9A价格:¥3.1507品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的RFD16N06LESM9A多少钱,想知道RFD16N06LESM9A价格是多少?参考价:¥3.1507。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,RFD16N06LESM9A批发价格及采购报价,RFD16N06LESM9A销售排行榜及行情走势,RFD16N06LESM9A报价。
RFD16N06LESM中文资料Alldatasheet PDF
更多RFD16N06LE制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:16A, 60V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFD16N06LESM制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W ;RoHS Compliant: Yes
RFD16N06LESM9A功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube