| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-252 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO252 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252(DPAK) |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252(DPAK) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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5000 |
公司存货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-252AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ON/安森美TO-252-2(DPAK) |
8080 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-252-2(DPAK) |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-252(D |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VBSEMI/台湾微碧TO252-2 |
11441 |
23+ |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDSEMTO-252-3 |
3577 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
49000 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ON/安森美TO-252-2(DPAK) |
10000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
2800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO252 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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RFD12N06RL图片
RFD12N06RLESM9A价格
RFD12N06RLESM9A价格：￥2.0025品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的RFD12N06RLESM9A多少钱，想知道RFD12N06RLESM9A价格是多少？参考价：￥2.0025。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，RFD12N06RLESM9A批发价格及采购报价，RFD12N06RLESM9A销售排行榜及行情走势，RFD12N06RLESM9A报价。
RFD12N06RLESM9A中文资料Alldatasheet PDF
更多RFD12N06RLE功能描述:MOSFET 60V/12a/0.135Ohm NCh Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD12N06RLESM制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:49W ;RoHS Compliant: Yes
RFD12N06RLESM9A功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
