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5818-F	文件：166.1 Kbytes Page：8 Pages	BiMOSII32-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERSFOR-40CTO85COPERATION BiMOSII32-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERSFOR-40°CTO+85°COPERATION Designedprimarilyforusewithvacuum-fluorescentdisplays,theUCQ5818AFandUCQ5818EPFsmartpowerBiMOSIIdriverscombineCMOSshiftregisters,datalatches,andcontrolcircuitry,withbipolarhighspeedsourci	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
5818-F	文件：164.87 Kbytes Page：8 Pages	BiMOSII32-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVERSWITHACTIVE-DMOSPULL-DOWNS Designedprimarilyforusewithvacuum-fluorescentdisplays,theUCN5818AFandUCN5818EPFsmartpowerBiMOSIIdriverscombineCMOSshiftregisters,datalatches,andcontrolcircuitry,withbipolarhighspeedsourcingoutputsandDMOSactivepull-downcircuitry.Thehighspeedshiftregisterandda	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
5818SM	文件：116.17 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •HighReliability •HighCurrentCapability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
5818SMG	文件：119.4 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier •SchottkyBarrierRectifier •GuardRingProtection •LowForwardVoltage •HighReliability •HighCurrentCapability •SurfaceMountPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
5818SMJ	文件：120.34 Kbytes Page：3 Pages	1AmpSchottkyRectifier 1AmpSchottkyRectifier •UnderwritersLaboratoryFlammabilityClass94V-0 •SchottkyBarrierRectifier •Guardringprotection •Lowforwardvoltage •Lowthermalresistancerating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
AFE5818	文件：3.01341 Mbytes Page：156 Pages	16-Channel,Ultrasound,AnalogFront-End	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
AFE5818ZBV	文件：871.77 Kbytes Page：12 Pages	80-MSPSADC,PassiveCWMixer,I/QDemodulator	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
AFE5818ZBV	文件：3.01341 Mbytes Page：156 Pages	16-Channel,Ultrasound,AnalogFront-End	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
B5818LWS	文件：254.14 Kbytes Page：2 Pages	1AmpLowVFSchottkyBarrierRectifier30Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
B5818PL	文件：1.49382 Mbytes Page：4 Pages	SOD-123FLPlastic-EncapsulateDiodes Features 1A VRRM Highsurgecurrentcapability Polarity:Colorbanddenotescathode IF(AV) 20-40V Applications Rectifier	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B5818PL	文件：988.22 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiodes	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
B5818W	文件：979.75 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
B5818W	文件：275.84 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
B5818W	文件：530.46 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES ♦Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters ♦Freewheeling,andpolantyprotectionapplications MECHANICALDATA Case:Moldedplasticbody Terminals:PlatedleadssolderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Polaritysymbolsmarkedoncase Marking:B5817W:SJ	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 深圳辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
B5818W	文件：149.76 Kbytes Page：5 Pages	SOD-12340V/1ASchottkyDiode FEATURES -LowForwardVoltageDrop -SurfaceMountedDevice -Moisturesensitivitylevel1 -PbfreeandRoHScompliant APPLICATION Lowvoltage,highfrequencyinverters MECHANICALDATA -Case:BendleadSOD-123package -Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10s -Weight:10m	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
B5818W	文件：985.75 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE	SHUNYEShunye Enterprise 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
B5818W	文件：256.899 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode Features Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
B5818W	文件：149.07 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
B5818W	文件：362.55 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●ExtremelylowVF. ●Lowstoredchange,majoritycarrierconduction. ●Lowpowerloss/highefficient APPLICATIONS ●ForUseInLowVoltage,HighFrequencyInverters. ●FreeWheeling,AndPolarityProtectionApplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
B5818W	文件：33.55 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters Freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU

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详细参数

型号：
QS5818ZQPV
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Integrated Device Technology Inc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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