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2053	文件：237.88 Kbytes Page：2 Pages	LightDuty2-ElectrodeMiniatureGasDischargeTube	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AN2053	文件：323.25 Kbytes Page：15 Pages	SLICprotectionforbothclassicalandnewnetworks	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
C2053	文件：123.25 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTYPE(forRFamplifiersonVHFbandMobileradioapplications) 2SC2053isasiliconNPNepitaxialplanartypetransistordesingedforRFamplifiersonVHFbandmobilearadioapplications.	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机
C2053A	文件：73.03 Kbytes Page：1 Pages	HOOK-UPWIRE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司
CKN2053	文件：1.45355 Mbytes Page：5 Pages	MiniatureSnap-inPowerRockerSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
CXD2053AM	文件：196.8 Kbytes Page：14 Pages	AutoWide,EDTV-IIIDDetection,ID-1Detection Description TheCXD2053AM/ASisanICwhichhasthethreefunctionsofidentifyingthewidevideo(autowide),detectingtheEDTV-IIID,anddetectingID-1(EIAJ,CPX1024)fromthevideosignal. Features •VideoaspectratioidentificationusedwithwideTVsisrealizedwithasinglechip. •I	SonySONY 索尼
CXD2053AS	文件：196.8 Kbytes Page：14 Pages	AutoWide,EDTV-IIIDDetection,ID-1Detection Description TheCXD2053AM/ASisanICwhichhasthethreefunctionsofidentifyingthewidevideo(autowide),detectingtheEDTV-IIID,anddetectingID-1(EIAJ,CPX1024)fromthevideosignal. Features •VideoaspectratioidentificationusedwithwideTVsisrealizedwithasinglechip. •I	SonySONY 索尼
D2053	文件：245.67 Kbytes Page：2 Pages	TransistorOutputRepeaterDIN-RailModelD2053M Generaldescription: D2000MseriesIntrinsicallySafeMultiplexingSystemconsistsofonetofour Analog-TemperatureMultiplexerunitsmodelD2010M,uptotwelveExpanderunits modelD2011M,oruptofourDigitalMultiplexerunitsmodelD2030M,mountedin HazardousArea/HazardousLocationsZon	GMIG.M. International Gm 国际公司
D2053M	文件：245.67 Kbytes Page：2 Pages	TransistorOutputRepeaterDIN-RailModelD2053M Generaldescription: D2000MseriesIntrinsicallySafeMultiplexingSystemconsistsofonetofour Analog-TemperatureMultiplexerunitsmodelD2010M,uptotwelveExpanderunits modelD2011M,oruptofourDigitalMultiplexerunitsmodelD2030M,mountedin HazardousArea/HazardousLocationsZon	GMIG.M. International Gm 国际公司
D2053UK	文件：20.24 Kbytes Page：2 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET5W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–13dBMINIMUM APPLICATIONS •VHF/UHFCOMMUNICATIONSfrom1MHzto1GH	SEME-LAB Seme LAB
DK2053	文件：1.64769 Mbytes Page：36 Pages	HIGHPERFORMANCEFRACTIONAL-NSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDRFMIXER	RFMD RF Micro Devices
DK2053WB	文件：1.64769 Mbytes Page：36 Pages	HIGHPERFORMANCEFRACTIONAL-NSYNTHESIZERWITHINTEGRATEDRFMIXER	RFMD RF Micro Devices
DMC2053UFDB	文件：579.24 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMC2053UFDBQ	文件：554.6 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) TheDMC2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequiringspecificcha	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMC2053UVT	文件：560.38 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMC2053UVTQ	文件：509.31 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMC2053UVTQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMN2053U	文件：513.159 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMN2053UFDB	文件：481.73 Kbytes Page：8 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontrol (i.	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMN2053UFDBQ	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •PCBFootprintof4mm2 •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •LowProfile,0.6mmMaximumHeight •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •TheDMN2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequirin	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
DMN2053UQ	文件：571.77 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2053UQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificch	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

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更多QCS2053供应商更新时间2024-4-28 17:11:00

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