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2N6788	文件：238.49 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=6.0A) Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
2N6788	文件：24.93 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETENHANCEMENTMODE	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6788	文件：195.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELMOSFET N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/555	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N6788	文件：164.53 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS N-CHANNELPOWERMOSFETs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N6788L	文件：16.63 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N6788U	文件：195.04 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELMOSFET N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/555	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JAN2N6788	文件：677.54 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/555 N-CHANNELMOSFETQualifiedperMIL-PRF-19500/555	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
JANTX2N6788	文件：204.45 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6788	文件：238.49 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=6.0A) Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTX2N6788U	文件：237.14 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesignersthe	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
JANTXV2N6788	文件：238.49 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL(BVdss=100V,Rds(on)=0.30ohm,Id=6.0A) Description TheHEXFET®technologyisthekeytoInternationalRectifier’sHiReladvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowonstateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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