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PZT2907	文件：127.41 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon Switching Transistors PNPSiliconSwitchingTransistors ●HighDCcurrentgain:0.1mAto500mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:PZT2222(NPN) PZT2222A(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
PZT2907	文件：109.47 Kbytes Page：2 Pages	Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors •Powerdissipation1.3W •PlasticcaseSOT-223 •Weightapprox.0.04g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
PZT2907A	文件：139.76 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT PNPSiliconEpitaxialTransistor ThisPNPSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinlinearandswitchingapplications.ThedeviceishousedintheSOT-223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features •NPNComplementisPZT2222AT1 •TheSOT-223pack	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PZT2907A	文件：46.23 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage. NPNcomplement:PZT2222A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZT2907A	文件：139.76 Kbytes Page：6 Pages	SOT-223 PACKAGE PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT PNPSiliconEpitaxialTransistor ThisPNPSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinlinearandswitchingapplications.ThedeviceishousedintheSOT-223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. •NPNComplementisPZT2222AT1 •TheSOT-223packagecanbe	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
PZT2907A	文件：127.41 Kbytes Page：6 Pages	PNP Silicon Switching Transistors PNPSiliconSwitchingTransistors ●HighDCcurrentgain:0.1mAto500mA ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:PZT2222(NPN) PZT2222A(NPN)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
PZT2907A	文件：58.25 Kbytes Page：6 Pages	PNP General Purpose Amplifier Description ThePN2907A,MMBT2907A,andPZT2907Aare60V-PNPbipolartransistorsdesignedforuseasageneral-purposeamplifierorswitchinapplicationsthatrequireupto500mA.Offeredinanultra-smallsurface-mountpackage(SOT-223),thePZT2907Aisidealforspace-constrainedsystems.T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2907A	文件：264.71 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
PZT2907A	文件：109.47 Kbytes Page：2 Pages	Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors •Powerdissipation1.3W •PlasticcaseSOT-223 •Weightapprox.0.04g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
PZT2907A	文件：127.44 Kbytes Page：7 Pages	PNP switching transistor DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage. NPNcomplement:PZT2222A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PZT2907A	文件：297.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Planar Medium Power Transistor DESCRIPTION •ThePZT2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,mediumpowerswitchingapplications.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
PZT2907A	文件：907.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT2907A	文件：1.0932 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2222A)	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
PZT2907A	文件：454.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP Transistors ■Features ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementarytoPZT2222A	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PZT2907A	文件：184.63 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■DESCRIPTION ThisUTCPZT2907Aisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsto500mA.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PZT2907A	文件：548.71 Kbytes Page：4 Pages	PNP Plastic-Encapsulate Transistors Features •SurfaceMountSOT-223Package •Capableof1WattsofPowerDissipation •Ic:0.6A •Marking:ZT2907A •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyadd	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
PZT2907A	文件：108.62 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Epitaxial Transistor PNPSiliconEpitaxialTransistor ThisPNPSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinlinearandswitchingapplications.ThedeviceishousedintheSOT-223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features •NPNComplementisPZT2222AT1 •TheSOT-223Pa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PZT2907A	文件：161.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
PZT2907A	文件：685.14 Kbytes Page：11 Pages	PN2907A / MMBT2907A / PZT2907A 60 V PNP General Purpose Transistor Description ThePN2907A,MMBT2907A,andPZT2907Aare60V-PNPbipolartransistorsdesignedforuseasageneral-purposeamplifierorswitchinapplicationsthatrequireupto500mA.Offeredinanultra-smallsurface-mountpackage(SOT-223),thePZT2907Aisidealforspace-constrainedsystems.T	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2907A	文件：331.41 Kbytes Page：8 Pages	PNP switching transistor FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.60V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification. DESCRIPTION PNPswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplement:PZT2222A.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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详细参数

型号：
PZT2907
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PZT2907供应商更新时间2024-6-2 11:04:00

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