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PTVA084007NF-V1-R5分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTVA084007NF-V1-R5
厂商型号

PTVA084007NF-V1-R5

参数属性

PTVA084007NF-V1-R5 封装/外壳为HBSOF-4-2;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:RF LDMOS FET 370W, 755 - 805 MHZ

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 370 W, 48 V, 755 – 805 MHz
RF LDMOS FET 370W, 755 - 805 MHZ

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497.08 Kbytes

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9

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
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更新时间

2024-5-31 11:40:00

PTVA084007NF-V1-R5规格书详情

Description

The PTVA084007NF is a 370-watt (P3dB) LDMOS FET manufactured

with Wolfspeed’s 48-V LDMOS process. It is designed for use in

multi-standard cellular power amplifier applications. It features

a single-ended design and input and output matching that allow

for use from 755 MHz to 805 MHz.

Features

• Broadband internal input and output matching

• Target CW performance, 805 MHz, 48 V, single side

- Output power at P3dB = 370 W

- Efficiency = 64

- Gain = 20.8 dB

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 100 W

(CW) output power

• Integrated ESD protection

• Human Body Model class 2 (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

• Low thermal resistance

• Pb-free and RoHS compliant

PTVA084007NF-V1-R5属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。WOLFSPEED, INC.制造生产的PTVA084007NF-V1-R5晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    PTVA084007NF-V1-R5

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    755MHz ~ 805MHz

  • 增益:

    23.6dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    370W

  • 封装/外壳:

    HBSOF-4-2

  • 供应商器件封装:

    PG-HBSOF-4-2

  • 描述:

    RF LDMOS FET 370W, 755 - 805 MHZ

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
N/A
22+
8987
原装正品现货 可开增值税发票
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Wolfspeed, Inc.
24+
HBSOF-4-2
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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INFINEON/英飞凌
23+
199
现货供应
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INFINEON/英飞凌
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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