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IP5103

1.5ACharging1.5A(max)DischargeHighlyIntegratedMobilePowerSOC

INJOINICInjoinic Technology Co.,Ltd.

英集芯科技深圳英集芯科技股份有限公司

IRLML5103

GenerationVTechnology

Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint LowProfile(

UMWUMW

友台友台半导体

IRLML5103

PowerMOSFET

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰广东合科泰实业有限公司

IRLML5103

PowerMOSFET(Vdss=-30V,Rds(on)=0.60ohm)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET®powerMOSFETsarewellknownfor,provid

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRLML5103

HEXFETPowerMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRLML5103GPBF

HEXFETPOWERMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRLML5103GTRPBF

GenerationVTechnology

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRLML5103PBF

ULTRALOWONRESISFANCE

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRLML5103PBF

HEXFET-RPOWERMOSFET

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRLML5103TR

GenerationVTechnology

Features GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance P-ChannelMOSFET SOT-23Footprint LowProfile(

UMWUMW

友台友台半导体

IRLML5103TRPBF

generationvtechnology

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

KTC5103D

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT)

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGE LARGECURRENT FEATURES •HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) •ComplementarytoKTA1385D/L

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTC5103L

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGELARGECURRENT)

LOWCOLLECTORSATURATIONVOLTAGE LARGECURRENT FEATURES •HighPowerDissipation:PC=1.3W(Ta=25°C) •ComplementarytoKTA1385D/L

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KTC5103L

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

KTC5103L

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.3V(Max)@IC=2A APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

LML5103

P-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

LML5103G

P-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

LV5103LP

Bi-CMOSLSICellPhonePowerSupplyIC

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

M5103

TiteAluminumLiquidTightCordgrips

Heyco

Heyco

ME5103Series

MicrOneNajing Micro One Electronics Inc.

南京微盟南京微盟电子有限公司

PDF上传者:深圳市溢航科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    PT5103L

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    电源 - 板安装 > 直流转换器

  • 系列:

    PT5100

  • 包装:

    托盘

  • 类型:

    线性稳压器替代品

  • 电压 - 输入(最小值):

    9V

  • 电压 - 输入(最大值):

    26V

  • 电压 - 输出 1:

    3.3V

  • 电流 - 输出(最大值):

    1A

  • 应用:

    ITE(商业)

  • 特性:

    OCP,OTP

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 效率:

    82%

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD 模块

  • 大小 / 尺寸:

    1.02" 长 x 1.00" 宽 x 0.38" 高(25.9mm x 25.4mm x 9.7mm

  • 描述:

    DC DC CONVERTER 3.3V 3W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
23+
原厂封装
7642
原装现货
询价
TI
21+
SIP
39890
全新原装现货,假一赔十
询价
TI
22+
SIP
28600
只做原装正品现货假一赔十一级代理
询价
TI
21+
SIP
13880
公司只售原装,支持实单
询价
TI
21+
SIP
39890
全新原装现货 假一赔十
询价
TI
22+
3-SMD 模块
20000
绝对原装现货
询价
TI/Texas Instruments Incorpora
21+
SIP
5
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
TI
13+
SIP
5
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
TI
22+
SIP
30000
原装正品
询价
TI/德州仪器
23+
SIP
1500
只供应原装正品 欢迎询价
询价
更多PT5103L供应商 更新时间2024-6-2 15:20:00