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PSMN6R1-30YLD	文件：757.03 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V, 6.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN6R1-30YLD_15	文件：287.32 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 30 V, 6.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PSMN6R1-30YLD

文件：757.03 Kbytes

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N-channel 30 V, 6.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology

安世安世半导体(中国)有限公司

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PSMN6R1-30YLD_15

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N-channel 30 V, 6.1 m廓 logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

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30V,P-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT8002)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •TrenchMOSFETtechnology •MLPAK33package(3.3x3.3mmf

安世安世半导体(中国)有限公司

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更多PSMN6R1-30YLD供应商更新时间2024-4-30 16:44:00

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