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PSMN4R2-60PL	文件：262.64 Kbytes Page：13 Pages	N-channel60V,3.9m廓logiclevelMOSFETinSOT78	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
PSMN4R2-60PL	文件：333.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
PSMN4R2-60PL	文件：733.36 Kbytes Page：13 Pages	N-channel60V,3.9mΩlogiclevelMOSFETinSOT78 1.Generaldescription LogiclevelN-channelMOSFETinSOT78usingTrenchMOStechnology.Productdesign andmanufacturehasbeenoptimizedforuseinbatteryoperatedpowertools. 2.Featuresandbenefits •Highefficiencyduetolowswitching&conductionlosses •Robustconstructionfordem	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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PSMN4R2-60PL

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

PSMN4R2-60PL

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N-channel60V,3.9mΩlogiclevelMOSFETinSOT78

1.Generaldescription LogiclevelN-channelMOSFETinSOT78usingTrenchMOStechnology.Productdesign andmanufacturehasbeenoptimizedforuseinbatteryoperatedpowertools. 2.Featuresandbenefits •Highefficiencyduetolowswitching&conductionlosses •Robustconstructionfordem

安世安世半导体(中国)有限公司

详细参数

型号：
PSMN4R2-60PLQ
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多PSMN4R2-60PLQ供应商更新时间2024-4-27 14:14:00

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