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PSMN015-110P	文件：690.85 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN015-110P	文件：91.56 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS Standard level FET	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PSMN015-110P

文件：690.85 Kbytes

Page：13 Pages

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PSMN015-110P

文件：91.56 Kbytes

Page：12 Pages

TrenchMOS Standard level FET

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

PSMN015-110P

文件：191.85 Kbytes

Page：13 Pages

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

详细参数

型号：
PSMN015-110P
功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多PSMN015-110P供应商更新时间2024-5-6 15:48:00

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