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CVFD20065A	文件：997.58 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
LFUSCD20065B	文件：519.659 Kbytes Page：4 Pages	Enhancedsurgecapability	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司	Littelfuse
STPSC20065	文件：631.92 Kbytes Page：13 Pages	650VpowerSchottkysiliconcarbidediode Features Noreverserecoverychargeinapplicationcurrentrange Switchingbehaviorindependentoftemperature DedicatedtoPFCapplications InsulatedpackageTO-220ACins: Insulatedvoltage:2500Vrms Typicalpackagecapacitance:7pF Highforwardsurgecapability ECOPACK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STPSC20065C	文件：227.93 Kbytes Page：10 Pages	650V,dual10A,powerSchottkysiliconcarbidediode Features •Noornegligiblereverserecovery •Switchingbehaviorindependentoftemperature •LowForwardvoltagedrop •OperatingTjfrom-40°Cto+175°C •ECOPACK2compliantcomponent •Powerefficientproduct Description TheSTPSC20065Cisanultra-highperformancepowerSchottkyd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STPSC20065D	文件：631.92 Kbytes Page：13 Pages	650VpowerSchottkysiliconcarbidediode Features Noreverserecoverychargeinapplicationcurrentrange Switchingbehaviorindependentoftemperature DedicatedtoPFCapplications InsulatedpackageTO-220ACins: Insulatedvoltage:2500Vrms Typicalpackagecapacitance:7pF Highforwardsurgecapability ECOPACK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STPSC20065DI	文件：631.92 Kbytes Page：13 Pages	650VpowerSchottkysiliconcarbidediode Features Noreverserecoverychargeinapplicationcurrentrange Switchingbehaviorindependentoftemperature DedicatedtoPFCapplications InsulatedpackageTO-220ACins: Insulatedvoltage:2500Vrms Typicalpackagecapacitance:7pF Highforwardsurgecapability ECOPACK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STPSC20065DY	文件：519.909 Kbytes Page：11 Pages	Automotive650VpowerSchottkysiliconcarbidediode	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STPSC20065W	文件：631.92 Kbytes Page：13 Pages	650VpowerSchottkysiliconcarbidediode Features Noreverserecoverychargeinapplicationcurrentrange Switchingbehaviorindependentoftemperature DedicatedtoPFCapplications InsulatedpackageTO-220ACins: Insulatedvoltage:2500Vrms Typicalpackagecapacitance:7pF Highforwardsurgecapability ECOPACK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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