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PN3565	文件：22.86 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.SourcedfromProcess10.SeePN100forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN3565	文件：42.6 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION PN3565isPNPsiliconplanartransistordesignedforAFsmallsignalamplifierstages.	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
PN3565	文件：20.68 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistors SmallSignalTransistors TO-92Case(Continued)	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN3565	文件：295.2 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN3565	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PN3565_01	文件：295.2 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PN3565_15	文件：60.8 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
PN3565_D26Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PN3565_D27Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3565	文件：129.62 Kbytes Page：2 Pages	BananaJackTo#12,16,20&22Pin	POMONA Pomona Electronics	POMONA
APT3565AN	文件：309.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT3565BN	文件：345.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT3565CN	文件：297.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT3565DN	文件：331.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT3565GN	文件：297.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
C3565	文件：180.01 Kbytes Page：3 Pages	Overvoltageprotectionwithautorestart 700-850WATTAC/DC-DC/DC-BATTERYCHARGERSSINGLEOUTPUT FEATURES •DCinput18-640V •ACinput1or3-phase,47-400Hz •DCoutput5-400V •Continuousshortcircuitprotection •Overvoltageprotectionwithautorestart •Thermalshutdownwithautorestart •Industrialgradecomp	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C3565V	文件：180.01 Kbytes Page：3 Pages	Overvoltageprotectionwithautorestart 700-850WATTAC/DC-DC/DC-BATTERYCHARGERSSINGLEOUTPUT FEATURES •DCinput18-640V •ACinput1or3-phase,47-400Hz •DCoutput5-400V •Continuousshortcircuitprotection •Overvoltageprotectionwithautorestart •Thermalshutdownwithautorestart •Industrialgradecomp	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CHA3565-QAG	文件：456.18 Kbytes Page：14 Pages	5-21GHzDriverAmplifier	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
FM3565	文件：84.16 Kbytes Page：7 Pages	CPUCONFIGURATIONCONTROLLERRegister/MultiplexerforMicroprocessorVID GeneralDescription TheFairchildFM3565replacesthePCmotherboard’sCPUconfigurationswitcheswithanelectronicimplementation,consistingofa5-bitmultiplexedport,standard2-wirebusinterface,andnon-volatilelatcheswithexternalhardwarecontrol. Features ■ExtendedOperatingVolt	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FM3565MT	文件：84.16 Kbytes Page：7 Pages	CPUCONFIGURATIONCONTROLLERRegister/MultiplexerforMicroprocessorVID GeneralDescription TheFairchildFM3565replacesthePCmotherboard’sCPUconfigurationswitcheswithanelectronicimplementation,consistingofa5-bitmultiplexedport,standard2-wirebusinterface,andnon-volatilelatcheswithexternalhardwarecontrol. Features ■ExtendedOperatingVolt	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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产品属性

产品编号：
PN3565
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 1mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3

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