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BAP65-02	文件：108.49 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance(lowloss) •Verylowseriesinductance. APPLICATIONS •RFattenuatorsandswitc	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BAP65-02	文件：168.54 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance(lowloss) •Verylowseriesinductance. APPLICATIONS •RFattenuatorsandswitc	ETL E-Tech Electronics LTD	ETL
BAP65-02	文件：243.21 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode Generaldescription PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage Featuresandbenefits •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Verylowseriesinductance •AEC-Q101qualified Applications •	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP65-02	文件：69.85 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance(lowloss) •Verylowseriesinductance. APPLICATIONS •RFattenuatorsandswitches •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP65-02	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP65-02	文件：108.07 Kbytes Page：9 Pages	PlanarPINdiodeinaSOD523ultrasmallSMDplasticpackage	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAR65-02	文件：14.8 Kbytes Page：3 Pages	SiliconRFSwitchingDiodePreliminarydata(Lowloss,lowcapacitancePIN-diodeBandswitchforTV-tuners) SiliconRFSwitchingDiode Preliminarydata •Lowloss,lowcapacitancePIN-diode •BandswitchforTV-tuners •Seriesdiodeformobilecommunicationtransmit-receiverswitch	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BAR65-02L	文件：464.77 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiode •Seriesdiodeformobilecommunicationinlowlosstransmit-receiverswitches •BandswitchforTV-tuners •Verylowforwardresistance(typ.0.65Ω@5mA) •Lowcapacitance(typ.0.5pF@0V) •Fastswitchingapplications •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR65-02L	文件：119.02 Kbytes Page：12 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR65-02V	文件：119.02 Kbytes Page：12 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR65-02V	文件：981.03 Kbytes Page：12 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR65-02V	文件：464.77 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiode •Seriesdiodeformobilecommunicationinlowlosstransmit-receiverswitches •BandswitchforTV-tuners •Verylowforwardresistance(typ.0.65Ω@5mA) •Lowcapacitance(typ.0.5pF@0V) •Fastswitchingapplications •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAR65-02W	文件：14.8 Kbytes Page：3 Pages	SiliconRFSwitchingDiodePreliminarydata(Lowloss,lowcapacitancePIN-diodeBandswitchforTV-tuners) SiliconRFSwitchingDiode Preliminarydata •Lowloss,lowcapacitancePIN-diode •BandswitchforTV-tuners •Seriesdiodeformobilecommunicationtransmit-receiverswitch	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BAR65-02W	文件：31.77 Kbytes Page：1 Pages	SiliconRFSwitchingDiode Features ●Lowloss,lowcapacitancePIN-diode ●BandswitchforTV-tuners ●Seriesdiodeformobilecommunicationtransmit-receiverswitch	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BBY65-02V	文件：56.63 Kbytes Page：6 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BBY65-02V	文件：380.87 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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