PM-OM106说明书PDF资料市场行情强茂第5页-114ic电子网

首页 >PM-OM106>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
B106S	文件：556.31 Kbytes Page：5 Pages	MINISURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES •PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryrecognition94V-O •Lowleakage •Surgeoverloadrating--30amperespeak •Idealforprintedcircuitboard •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective MECHANICALDATA •Case:Reliablelowcostconstructionut	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BB106A	文件：163.33 Kbytes Page：1 Pages	SilicljeveplanarnesignalnediodeSiliconplanarsignaldiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BDB106	文件：41.16 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEGLASSPASSIVATEDSILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BFR106	文件：523.74 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：622.35 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：73.76 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFR106	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFR106	文件：189.42 Kbytes Page：5 Pages	LowNoiseFigure DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=2.5dBTYP.@VCE=8V,IC=20mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=10.5dBTYP.@VCE=8V,IC=70mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersandlinearbroadbandamplifiers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFR106	文件：229.01 Kbytes Page：10 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFR106	文件：80.64 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •HighlinearitylownoiseRFtransistor •22dBmOP1dBand31dBmOIP3@900MHz,8V,70mA •ForUHF/VHFapplications •Driverformultistageamplifiers •Forlinearbroadbandandantennaamplifiers •Collectordesignsupports5Vsupplyvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFR106	文件：57.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiers •Forlinearbroadbandamplifiers •Specialapplication:antennaamplifiers •Complementarytype:BFR194(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BFR106	文件：63.23 Kbytes Page：8 Pages	NPN5GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistorinaplasticSOT23envelope.Itisprimarilyintendedforlownoise,generalRFapplications.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGF106C	文件：571.4 Kbytes Page：7 Pages	SIMCardInterfaceFilterandESDProtection	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BR106	文件：60.51 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
BR106	文件：23.02 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BR106	文件：119.96 Kbytes Page：2 Pages	10ASINGLE-PHASESILICONBRIDGE	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
BR106	文件：145.32 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	BYTES Bytes	BYTES
BR106	文件：581.65 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-10Amperes FEATURES Surgeoverloadrating:200Amperespeak Lowforwardvoltagedrop	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
BR106	文件：29.97 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASE10AMPBRIDGERECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BR106	文件：47.75 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT10.0Amperes FEATURES Lowleakagecurrent Lowforwardvoltage Mounting:Holethrufor#6screw Mountingposition:Any	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark

<<<1 2 3 456 7 8 9 10 >>>

详细参数

型号：
PM-OM106
制造商：
PMI
制造商全称：
PMI
功能描述：
COMMON MODE LINE CHOKES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	PMOP		22+	SMD	7500	绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!	询价
深圳市一线半导体有限公司	PMOP07	A	B252	b	172		询价
深圳市博浩通科技有限公司	PMOQ	进口原装	23+	QFN-10	1478	全新原装	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	PMOQ	TI	1836+	QFN10	9852	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市福田区亿兴成电子商行	PMOQ	TI/德州仪器		SON10	6698		询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	PMOQ	原厂		N/A	90000	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市创新迹电子有限公司	PMOQ	TI/德州仪器	22+	QFN	25000	只做原装,原装,假一罚十	询价
深圳市维尔达电子有限公司	PMOQ08WZ205	XX	2023+	QFN14	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	PMOQ08WZ205	XX	21+	QFN14	35200	一级代理/放心采购	询价
深圳市科思奇电子科技有限公司	PMOQ08WZ205	XX	22+	QFN14	360000	进口原装房间现货实库实数	询价

更多PM-OM106供应商更新时间2024-6-3 14:12:00

详细参数

相关规格书

相关库存