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BFG193	文件：73.92 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21e︱2=13.5dBTYP.@VCE=8V,IC=30mA,f=900MHz APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,high-gainamplifiersand linearbroadbandamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BFG193	文件：59.73 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFG193	文件：48.45 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BFP193	文件：78.73 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP193	文件：549.81 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BFP193T	文件：260.82 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFP193T	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BFP193TRW	文件：97.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNPlanarRFTransistor Features •Lownoisefigure •HightransitionfrequencyfT=8GHz •Excellentlargesignalbehaviour •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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BFP193W	文件：75.36 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor* •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,F=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP193W	文件：59.92 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
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BFP193W	文件：537.35 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFQ193	文件：28.06 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz •Forlinearbroadbandamplifiers •fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS

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产品属性

产品编号：
PLA193E
制造商：
IXYS Integrated Circuits Division
类别：
继电器 > 固态继电器
系列：
PLA, OptoMOS®
包装：
管件
安装类型：
通孔
电路：
SPST-NO（1 Form A）
输出类型：
AC，DC
电压 - 输入：
1.2VDC
端接样式：
PC 引脚
封装/外壳：
6-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
6-DIP
描述：
SSR RELAY SPST-NO 100MA 0-600V

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更多PLA193E供应商更新时间2024-5-23 10:18:00

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