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PJS6601	文件：631.89 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6601	文件：559.57 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6601_S1_00001	文件：631.89 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6601_S2_00001	文件：631.89 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6601_V01	文件：631.89 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6601-AU	文件：540.64 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJS6601-AU_S1_000A1	文件：540.64 Kbytes Page：9 Pages	20V Complementary Enhancement Mode MOSFET Features AdvancedTrenchProcessTechnology SpeciallyDesignedforSwitchLoad,PWMApplication,etc. AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standard	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
6601	文件：205.28 Kbytes Page：2 Pages	ComfortProbewithRemovable4mmBananaPlugAdapter	POMONA Pomona Electronics	POMONA
ADRF6601	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6601	文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages	1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6601-EVALZ	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN-6601	文件：654.75 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseJFETAmplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AO6601	文件：482.71 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6601	文件：2.72053 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6601	文件：2.06917 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO6601	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6601	文件：724.96 Kbytes Page：11 Pages	NPChannelMOSFET Features N-Ch: VDS(V)=30V ID=3.4A(VGS=10V) RDS(ON)60m(VGS=10V) RDS(ON)70m(VGS=4.5V) RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: VDS(V)=-30V ID=-2.3A(VGS=-10V) RDS(ON)115m(VGS=-10V) RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) RDS(ON)200m(VGS=-2.5V)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
AO6601-HF	文件：3.6273 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6601L	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AWU6601	文件：622.02 Kbytes Page：14 Pages	HELP3TMBand1/WCDMA/TD-SCDMA3.4V/28.25dBmLinearPAModule	ANADIGICS ANADIGICS	ANADIGICS

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更多PJS6601供应商更新时间2024-5-27 11:33:00

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