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PHX6NA60E	文件：25.61 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOS transistors Low capacitance Avalanche energy rated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
P6NA60	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P6NA60FI	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
PHP6NA60E	文件：21.42 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOStransistorsLowcapacitanceAvalancheenergyrated	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
STB6NA60	文件：130.28 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1Ω ■±30VGATETOSOURCEVOLTAGERATING ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■LOWINTRINSICCAPACITANCES ■GATECHARGEMINIMIZED ■REDUCEDTHRESHOLDVOLTAGESPREAD ■THROUGH-HOLEI2PAK(TO-	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP6NA60	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP6NA60FI	文件：206.48 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP6NA60FP	文件：50.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptmizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(o	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
PHX6NA60E
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
PowerMOS transistors Low capacitance Avalanche energy rated

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市华来深电子有限公司	PHX6NA60E	NXP	23+	TO-220F	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳兆威电子有限公司	PHX6NA60E	VB	2019	SOT186A	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
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更多PHX6NA60E供应商更新时间2024-5-31 15:11:00

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