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IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPDH6N03LA	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPDH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPSH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPUH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT6N03HD	文件：74.16 Kbytes Page：4 Pages	TMOSPOWER6.0AMPERES30VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
PHT6N03LT	文件：53.16 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHT6N03T	文件：70.3 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SSM6N03FE	文件：147.48 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6N03FE	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications •Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. •CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. •High-speedswitching. •Housedinaultra-smallpackagewhichissui	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
PHT6N03LTT/R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12.8A I(D) | SOT-223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	PHT6N03LT低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	SOT-223-3	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市一线半导体有限公司	PHT6N03T	NXP恩智浦/PHILIPS飞利浦	2008++	SOT-223	28200	新进库存/原装	询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	PHT6N03T	PHI	13+	SOT-223	7500	特价热销现货库存	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	PHT6N03T	飞利浦	22+	TO-223	4897	绝对原装!现货热卖!	询价
深圳市利加科技有限公司	PHT6N03T	NXP	16+	NA	8800	诚信经营	询价
深圳市华来深电子有限公司	PHT6N03T	NXP	23+	SOT-223	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	PHT6N03T	PHILIPS/NXP		SOT223	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	PHT6N03T	PHILIPS	21+	SOT-223	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳兆威电子有限公司	PHT6N03T	NXP/恩智浦	22+	SOT-223	16753	原装正品现货,可开13点税	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	PHT6N03T	PHILIPS	2020+	SOT-223	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价

更多PHT6N03LTT/R供应商更新时间2024-5-29 11:00:00

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