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PHB125N06T	文件：67.96 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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HRLO125N06K	文件：214.95 Kbytes Page：7 Pages	ReliableandRugged	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLP125N06K	文件：815.46 Kbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
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PJP125N06SA-AU	文件：454.1 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

详细参数

型号：
PHB125N06T
制造商：
PHILIPS
制造商全称：
NXP Semiconductors
功能描述：
TrenchMOS transistor Standard level FET

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