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PH3230S,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA SOT669	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司相关企业：深圳市珩瑞科技有限公司	NEXPERIA
PH3230S,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	NXP SOT669	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司相关企业：深圳市安富世纪电子有限公司	nxp
PH3230S,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	HITTITE SOT-89	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司相关企业：深圳市威尔健半导体有限公司	TI
PH3230S,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	HITTITE SOT-89	ITEITE Tech. Inc. 聯陽半導體相关企业：深圳市威尔健半导体有限公司	ITE

详细参数

型号：
PH3230S,115
功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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