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PESD12VL2BT中文资料PDF规格书

PESD12VL2BT
厂商型号

PESD12VL2BT

参数属性

PESD12VL2BT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为电路保护 > TVS - 二极管;PESD12VL2BT应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 12VWM 37VC SOT23

功能描述

Solid-state silicon-avalanche technology

文件大小

442.06 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 UMW
企业简称

UMW友台

中文名称

友台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-3 23:00:00

PESD12VL2BT规格书详情

Features

350W peak pulse power (tp =8/20μs)

Bidirectional configurations

Solid-state silicon-avalanche technology

Low clamping voltage

Low leakage current

IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air

IEC 61000-4-4 (EFT) 40A(5/50ns)

IEC 61000-4-5 (Lightning) 12A(8/20μs)

Applications

Dataline

Automatic Teller Machines

Net works

Power line

产品属性

  • 产品编号:

    PESD12VL2BT/S911,2

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    12V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    14.2V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    37V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    200W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    19pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23(TO-236AB)

  • 描述:

    TVS DIODE 12VWM 37VC SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP(恩智浦)
23+
SOT-23
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NXP/恩智浦
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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NXP
23+
SOT23
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