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PE6186	文件：232.77 Kbytes Page：3 Pages	50 Ohm 5 Watts Aluminum N Male RF Load Up To 6 GHz	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
PE6186	文件：436.07 Kbytes Page：4 Pages	5 Watt RF Load Up to 6 GHz With N Male Input Aluminum	PASTERNACKPasternack Enterprises, Inc. 帕斯特纳克	PASTERNACK
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6186	文件：417.4 Kbytes Page：3 Pages	PrecisionPotentiometer/PositionSensor	BITECH 瑞谷拜特上海瑞谷拜特软件技术有限公司	BITECH
AIC6186	文件：222.45 Kbytes Page：9 Pages	0.5ADualUSBHigh-SidePowerSwitch	AIC AIC	AIC
AOZ6186	文件：518.88 Kbytes Page：10 Pages	High-SpeedUSB2.0(480Mbps)DPDTSwitch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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CED6186A	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,30.6A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6186	文件：619.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,8A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6186	文件：408.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,8A,RDS(ON)=26mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM6186A	文件：636.87 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,8.1A,RDS(ON)=21mW@VGS=10V. RDS(ON)=28mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP6186	文件：438.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,33A,RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP6186A	文件：454.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,33A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=25mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
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FP6186	文件：622.49 Kbytes Page：17 Pages	2A,23V,1.4MHzStep-DownConverter	FEELINGFEELING 遠翔科技遠翔科技股份有限公司	FEELING

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