| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市朱博士电子科技有限公司14年
留言
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NXP原厂封装 |
18000 |
22+ |
原装正品,渠道可追溯 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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NXPNA |
18000 |
23+ |
公司现货原装 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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安世(Nexperia)SOT-23 |
111100 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NXP/恩智浦SOT23 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PHILIPSSOT-23 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-23NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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PHISOT23-3 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦NA/ |
3000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NXP/恩智浦SOT23 |
20000 |
23+ |
原装正品 欢迎咨询 |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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3000 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NXP-恩智浦SOT-23.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
30000 |
22+ |
只做原装正品 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
30000 |
23+ |
原厂/代理渠道 价格优势 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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NEXPERIANA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
94832 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
30000 |
23+ |
全新原装正品现货假一赔十 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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NXP/恩智浦SOT23 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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PDTB123ET图片
PDTB123ET,215价格
PDTB123ET,215价格：￥0.1899品牌：NXP
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PDTB123ET中文资料Alldatasheet PDF
更多PDTB123ET制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 0.5A SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 50V, 0.5A, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Transistor PNP 50V 0.5A 2.2K 2.2K TO236 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PNP Transistor,100mA,PDTB123ET
PDTB123ET T/R功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PDTB123ET,215功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PDTB123ET215制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR PNP -50V -500MA 2.2KO
