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PD85035STR-E分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PD85035STR-E |
参数属性 | PD85035STR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
功能描述 | RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs |
文件大小 |
384.36 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-14 18:30:00 |
PD85035STR-E规格书详情
PD85035STR-E属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。意法半导体(ST)集团制造生产的PD85035STR-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
PD85035STR-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
870MHz
- 增益:
17dB
- 额定电流(安培):
8A
- 功率 - 输出:
15W
- 封装/外壳:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(直引线)
- 描述:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
23+ |
6000 |
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ST/意法 |
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