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ADXL1004	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXL1004BCPZ	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADXL1004BCPZ-RL	文件：442.73 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,WideBandwidth,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AIVR1004	文件：201.17 Kbytes Page：8 Pages	StandardCMOSprocess.	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
AIVR1004	文件：122.24 Kbytes Page：8 Pages	tandardCMOSprocess	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
AN1004	文件：1.07567 Mbytes Page：16 Pages	Abroadportfolioofhighperformance,best-in-classSerialMemoryProductstomeetallyourdesignrequirements.	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APE1004	文件：293.89 Kbytes Page：6 Pages	verylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU GeneralDescription TheAPExx04seriesareverylowcostvoiceandmelodysynthesizerwith4-bitsCPU.Theyhavevariousfeaturesincluding4-bitsALU,ROM,RAM,I/Oports,timers,clockgenerator,voiceandmelodysynthesizer,andPWM(Directdrive)output,etc.Theaudiosynthesizercontainson	APLUSAPLUS APLUS	APLUS
APE1004H	文件：88.37 Kbytes Page：3 Pages	THESLIMPOWERRELAY FEATURES •Slimsize 28mm(L)×5mm(W)×15mm(H) 1.102inch(L)×.197inch(W)×.591inch(H) permitshighdensitymounting •Wideswitchingcapacity:100mA/12VDC-6A/250VAC •Highsensitivity:170mW •Highbreakdown(4,000V)andsurge(6,000V)voltagebetweencontactsand	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
APT1004	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RAN	文件：310.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RBN	文件：361.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RBN	文件：50.93 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RCN	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RCN	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RDN	文件：332.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=4.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RGN	文件：297.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1004RGN	文件：50.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RKN	文件：51.05 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1004RKN	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARD1004H	文件：541.41 Kbytes Page：8 Pages	26.5GHz,18GHzCOAXIALSWITCH FEATURES 1.Highfrequencycharacteristics(Impedance50Ω) 2.SPDTandtransfertypeavailable 3.Highsensitivity Nominaloperatingpower:840mW(SPDT,Failsafetype) 1540mW(Transfer,Failsafetype) 4.Longlife:5×106(SPDT) TYPICALAPPLICATIONS Wirelessandmobile	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS

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详细参数

型号：
PBU1004
功能描述：
桥式整流器 BRIDGE IN-LINE RECTIFIER
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

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