PBHV8550X分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PBHV8550X |
参数属性 | PBHV8550X 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 500V 0.15A SOT89 |
功能描述 | 500 V, 150 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
文件大小 |
243.17 Kbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 22:59:00 |
PBHV8550X规格书详情
1. General description
NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power
SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
2. Features and benefits
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified
3. Applications
• Electronic ballasts
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• Automotive motor management
• Flyback converters
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
PBHV8550X属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安世半导体(中国)有限公司制造生产的PBHV8550X晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
PBHV8550XF
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
90mV @ 6mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 50mA,10V
- 频率 - 跃迁:
35MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89
- 描述:
TRANS NPN 500V 0.15A SOT89
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
23+ |
SOT89 |
7350 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
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1000 |
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NEXPERIA |
17+ |
SOT-223 |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
2022 |
SOT223 |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
SOT-223 |
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