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P281中文资料PDF规格书

P281
厂商型号

P281

参数属性

P281 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 时钟发生器,PLL,频率合成器;产品描述:IC CLK EMI REDUCTION FREQ 8SOIC

功能描述

PATENTED GOLD METALLIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件大小

38.4 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 POLYFET
企业简称

Polyfet

中文名称

POLYFET官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-15 21:06:00

P281规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications.

Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance

产品属性

  • 产品编号:

    P2814BG-08SR

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 时钟发生器,PLL,频率合成器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • PLL:

  • 输入:

    CMOS,TTL

  • 输出:

    CMOS,TTL

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 差分 - 输入:

    无/无

  • 频率 - 最大值:

    160MHz

  • 分频器/倍频器:

    是/是

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC CLK EMI REDUCTION FREQ 8SOIC

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