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STT2602	文件：620.63 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STT2602	文件：481.46 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TA2602A	文件：464.27 Kbytes Page：8 Pages	SAWFilter2442MHzSMD1.4x1.1mm	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TGA2602-SM	文件：930.08 Kbytes Page：29 Pages	800to3000MHzHighIP3DualHEMT	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
TGA2602-SM	文件：302.11 Kbytes Page：21 Pages	800-3000MHzHighIP3DualLNA	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
TGS2602	文件：367.88 Kbytes Page：2 Pages	AirContaminants	FIGAROFIGARO ENGINEERING INC 费加罗	FIGARO
UES2602	文件：131.63 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERSHighEfficiency,30ACenter-Tap	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UES2602	文件：130.3 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
USB2602	文件：710.12 Kbytes Page：26 Pages	4THGENERATIONUSB2.0FLASHMEDIACONTROLLERWITHINTEGRATEDCARDPOWERFETSANDHSHUB	SMSC SMSC	SMSC
USB2602	文件：430.24 Kbytes Page：26 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETsandHSHub	SMSC SMSC	SMSC
USB2602	文件：272.84 Kbytes Page：30 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETs&HSHub	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
USB2602-NE-XX	文件：430.24 Kbytes Page：26 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETsandHSHub	SMSC SMSC	SMSC
USB2602-NU-XX	文件：430.24 Kbytes Page：26 Pages	4thGenerationUSB2.0FlashMediaControllerwithIntegratedCardPowerFETsandHSHub	SMSC SMSC	SMSC
VEC2602	文件：69.86 Kbytes Page：6 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
WTL2602	文件：483.07 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
WTL2602	文件：481.53 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
P2602SARP
功能描述：
硅对称二端开关元件 220V 50A DO214 2L SIDACtor Bi
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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