选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
7906200 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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3000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)标准封装 |
9398 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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NexperiaNA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦242 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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NXPNA |
45564 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原装现货订货价格优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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NXPSOP |
251156 |
1715+ |
只做原装正品现货假一赔十! |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NEXPERIA/安世NA |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货热卖 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世NA |
201000 |
22+ |
可订货,请确认 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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PHILIPSSOT-23 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
留言
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NXPSOT23 |
30000 |
23+ |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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NXPSOT23 |
10000 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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PhilipsN/A |
6800 |
2021+ |
只有原装正品 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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NXPSOT23 |
10000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
PMBT5550采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PMBT5550图片
PMBT5550,215价格
PMBT5550,215价格:¥0.1427品牌:NXP
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PMBT5550中文资料Alldatasheet PDF
更多PMBT5550制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 140V 0.3A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 140V, 0.3A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 140V, 0.3A, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:60; Operating Temperature Min:-65C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
PMBT5550 /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5550 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5550,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PMBT5550,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2