选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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NEXPERIASOT-23 |
56500 |
23+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市纽联电子有限公司1年
留言
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NexperiaN/A |
15000 |
20+ |
确保原装现货,实单价格支持! |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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15000 |
21+ |
10年磨一剑! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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54719 |
23+ |
原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)标准封装 |
8048 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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Nexperia |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NXPSOT23 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NEXPERIA/安世NA/ |
102000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA |
6000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NexperiaSOT-23 |
4411 |
1917+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23-3 |
2000 |
21+ |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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NXPSOT-23 |
12000 |
1315+ |
公司特价原装现货,可开17增税 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23-3 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
6000 |
23+ |
原装,可配单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT23 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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PDTC123ET,215价格
PDTC123ET,215价格:¥0.0482品牌:NXP
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PDTC123ET中文资料Alldatasheet PDF
更多PDTC123ET制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DIGITAL SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Digital NPN Transistor,2.2k,2.2k,SOT-23
PDTC123ET T/R功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PDTC123ET,215功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
PDTC123ET215制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BRT TRANSISTOR NPN 50V 100MA 2.2KOHM