| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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ST原厂原封 |
36900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
22+ |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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ST/意法TO-59 |
8510 |
20+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
4816 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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ST/意法SMD |
1566 |
21+ |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
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深圳市盈腾兴电子科技有限公司8年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
12820 |
21+ |
公司只做原装,诚信经营 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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NA |
600 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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STMicro.PowerSO-10RF |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ST/意法N |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
16900 |
23+ |
原装，可配单 |
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芯灿微（深圳）科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
8860 |
21+ |
原装现货,实单价优 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法SMD |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法PowerSO-10RF-Formed- |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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ST原厂封装 |
13528 |
23+ |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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STSMD |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
8860 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ST/意法半导体10RF-Formed-4 |
8860 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
PD85025采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
PD85025图片
PD85025-E价格
PD85025-E价格：￥130.2256品牌：STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD85025-E多少钱，想知道PD85025-E价格是多少？参考价：￥130.2256。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PD85025-E批发价格及采购报价，PD85025-E销售排行榜及行情走势，PD85025-E报价。
PD85025-E中文资料Alldatasheet PDF
更多PD85025功能描述:HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF
PD85025C功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Trans. LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD85025TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
