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THN6501E	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK	AUK
THN6501F	文件：189.85 Kbytes Page：11 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighGain MAG=11.5dBatf=1GHz,VCE=10V,IC=20mA oHighTransitionFrequency fT=7GHzatf=1GHz,VCE=10V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK	AUK
THN6501S	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK	AUK
THN6501S	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICSTachyonics CO,. LTD Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501U	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK	AUK
THN6501U	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICSTachyonics CO,. LTD Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501Z	文件：231.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNSiGeRFTRANSISTOR □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBTyp.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzTyp.@VCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	TACHYONICSTachyonics CO,. LTD Tachyonics CO,. LTD	TACHYONICS
THN6501Z	文件：230.71 Kbytes Page：15 Pages	SiGeNPNTransistor □Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange	AUK AUK	AUK
TM6501	文件：70.4 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIER	SPECTRUM Spectrum Instrumentation GmbH	SPECTRUM
TM6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TMR6501	文件：412.73 Kbytes Page：5 Pages	SingleChannelTMRMagneticPatternRecognitionSensor FeaturesandBenefits Highsensitivityandexcellentgapperformances Outputvoltageisindependentofscanningspeed Differentialoutput,highCMRRperformance Singlechanneldetection,5mmdetectionwidth Compactsize:L10.5mmxW8mmxH9.6mm Simplestructureforlowcostso	MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd. 多维科技江苏多维科技有限公司	MULTIDIMENSION
TN6501	文件：71.34 Kbytes Page：1 Pages	RFAMPLIFIERMODEL	APITECH API Technologies Corp	APITECH
TPC6501	文件：148.62 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：175.18 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC6501	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TSHA6501	文件：114.26 Kbytes Page：6 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs Description TheTSHA650.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Incontras	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
UM6501	文件：402.88 Kbytes Page：12 Pages	Multi-lineESD/EMIProtectionsforSignalLines	UNIONSEMI Union Semiconductor, Inc.	UNIONSEMI
USB-6501	文件：301.89 Kbytes Page：5 Pages	Small,portabledigitalI/Odevice/24digitalI/Olines,one32-bitcounter	NI National Instruments Inc.	NI
VV6501	文件：544.08 Kbytes Page：60 Pages	VGACMOSColorImageSensor Description ThisimagesensorbasedonSTMicroelectronicsCMOStechnologyisBayercolorised. Thesensorprovidesarawdigitalvideooutputwhichalsocontainsembeddedcodestofacilitateexternalsynchronisation. ThesensorinterfacestoarangeofSTMicroelectronicscompanionprocesso	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VV6501	文件：351.42 Kbytes Page：44 Pages	DUAL-MODEDIGITALCAMERACO-PROCESSOR DESCRIPTION STMicroelectronicsImagingDivisionhasproducedthecameraco-processorSTV0681which,usedwithCIF/VGAsensorsaspartofalowcostdual-modecamerachipset,allowsanewlineoflowcostcamerasortoyproductstobebroughttothemarket.STV0681isamaskROMversionofSTV0680	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
OX-6501GG
制造商：
EPSONTOYOCOM
制造商全称：
Epson ToYoCom
功能描述：
Oven Controlled Crystal Oscillator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科思奇电子科技有限公司	OX-6501GG	EPSON	22+	SMD	360000	进口原装房间现货实库实数	询价
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更多OX-6501GG供应商更新时间2024-5-22 15:51:00

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