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BAV170	文件：272.56 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
BAV170	文件：2.41971 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes SwitchingDiodes Features ●LowLeakageCurrent ●HighSwitchingSpeed Applications ●Low-leakageCurrentApplications inSurfaceMountedCircuits	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
BAV170	文件：129.169 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV170	文件：228.88 Kbytes Page：3 Pages	Low-leakageDoubleDiode Features ◇PlasticSMDpackage ◇Lowleakagecurrent:typ.3pA ◇Switchingtime:typ.0.8ms ◇Continuousreversevoltage:max.75V ◇Repetitivepeakreversevoltage:max.85V ◇Repetitivepeakforwardcurrent:max.500mA. Applications ◇Low-leakagecurrentapplicationsinsurfacemounted	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAV170	文件：1.64113 Mbytes Page：3 Pages	Low-leakageDoubleDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BAV170	文件：744.57 Kbytes Page：3 Pages	LowLeakageCurrent FEATURES ●LowLeakageCurrent ●HighSwitchingSpeed APPLICATION ●Low-leakageCurrentApplications inSurfaceMountedCircuits	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BAV170	文件：290.62 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAV170	文件：164.37 Kbytes Page：4 Pages	Low-leakagedoublediode	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BAV170	文件：1.72739 Mbytes Page：3 Pages	Small-SignalFastSwitchingDiodes Features VR100V lfavsinglediodeloaded215mA doublediodeloaded125mA	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
BAV170	文件：651.85 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakagedoublediode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,doublediodeinasmallSOT23plasticSMDpackage.The diodesareincommoncathodeconfiguration. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversev	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV170-AU	文件：335.38 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER250mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplyw	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV170DW	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-363plastic	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV170HM	文件：1.49212 Mbytes Page：9 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV170HMFH	文件：1.49184 Mbytes Page：9 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV170HY	文件：1.4857 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV170HYFH	文件：1.4372 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAV170M	文件：678.91 Kbytes Page：11 Pages	Dualcommoncathodelow-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV170-Q	文件：207.54 Kbytes Page：11 Pages	Low-leakagedoublediode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,doublediodeinasmallSOT23plasticSMDpackage.The diodesareincommoncathodeconfiguration. 2.Featuresandbenefits •PlasticSMDpackage •Lowleakagecurrent:typ.3pA •Switchingtime:typ.0.8us •Continuousreversev	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV170QA	文件：683.26 Kbytes Page：12 Pages	Dualcommoncathodelow-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAV170T	文件：55.06 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage ●VeryLowLeakageCurrent ●LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES

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详细参数

型号：
OPA170AIDRLT
功能描述：
运算放大器 - 运放 36V,microPower,RRO, Gen Purp Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	OPA170AIDRLT	Texas Instruments	24+	SOT-553	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	OPA170AIDRLT	TI	22+	SOT553	65568	代理授权直销,原装现货,长期稳定供应	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	OPA170AIDRLT	TI(德州仪器)	23+	SOT-553	7969	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	OPA170AIDRLT	TI	23+	SOT553	2750	原装正品公司现货!	询价
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司	OPA170AIDRLT	TexasInstruments		5-SOT	8500	绝对原装正品!假一罚十!放大器专业分销商!	询价
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