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256	文件：1.11117 Mbytes Page：3 Pages	MAGNETIC-LATCHINGDPDTHALF-SIZECRYSTALCANMILITARYRELAY	TELEDYNE TELEDYNE
256	文件：564.56 Kbytes Page：5 Pages	3M??Scotch짰PrintableFlatbackPaperTape256	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
256	文件：653.84 Kbytes Page：2 Pages	PGAZIFTest&Burn-inSocketforAnyFootprintonStd8x8to21x21Grid FEATURES •StrongMetalCamActivatesNormally-closedContacts,PreventingDependencyonPlasticfor ContactForce •HandlemountedonRight-orLeft-handSide •AnyFootprintAcceptedonStandard13x13to21x21Grid GENERALSPECIFICATIONS •SOCKETBODY:blackUL94V-0PolyphenyleneSulfid	ARIES Aries Electronics,inc
256B	文件：343.53 Kbytes Page：21 Pages	256b/257bTranscodingfor100Gb/sBackplaneandCopperCable	IBM IBM Microelectronics
256FBGA	文件：1.05549 Mbytes Page：136 Pages	32-bitARM7TDMIRISCstaticCMOSCPUcore OVERVIEW TheHMS30C7202isahighlyintegratedlowpowermicroprocessorforpersonaldigitalassistants,andotherapplicationsdescribedbelow.ThedeviceincorporatesanARM720TCPUandsysteminterfacelogictointerfacewithvarioustypesofdevices.HMS30C7202isahighlymodulardesignbase	HynixHynix Semiconductor SK海力士海力士半导体
256-FBGA	文件：1.05549 Mbytes Page：136 Pages	32-bitARM7TDMIRISCstaticCMOSCPUcore OVERVIEW TheHMS30C7202isahighlyintegratedlowpowermicroprocessorforpersonaldigitalassistants,andotherapplicationsdescribedbelow.ThedeviceincorporatesanARM720TCPUandsysteminterfacelogictointerfacewithvarioustypesofdevices.HMS30C7202isahighlymodulardesignbase	HynixHynix Semiconductor SK海力士海力士半导体
256LBGA	文件：84.43 Kbytes Page：1 Pages	256LBGA/LBGNPACKAGEOUTLINE	SMSC SMSC
256MBDDRSDRAM	文件：658.68 Kbytes Page：51 Pages	DDRSDRAMSpecificationVersion0.3 KeyFeatures Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readl	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
256PMG-SI	文件：117.54 Kbytes Page：6 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技
256PMG-SI	文件：115.18 Kbytes Page：6 Pages	AluminumElectrolyticCapacitorsPowerMiniaturizedGeneralPurpose-Snap-In FEATURES •Usefullife:2000hat+105°C,>5000hat+85°C •Voltagerangefrom16Vto100V •Polarizedaluminumelectrolyticcapacitors, non-solidelectrolyte •Pressurereliefonthetopofthealuminumcase •PETinsulationsleeve •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技
256X	文件：72.11 Kbytes Page：1 Pages	WILMAR??ProtectiveRelays-250Series,Over/Undervoltage	MACOM Tyco Electronics
AIMB-256	文件：1.41201 Mbytes Page：3 Pages	Intel짰Core??2DuoMini-ITXwithVGA/DVI/LVDS,4COMandDualLAN	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技
AM256	文件：151.1 Kbytes Page：2 Pages	PRESSFITAUTOMOTIVERECTIFIER	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
AN256	文件：210.48 Kbytes Page：8 Pages	INTEGRATEDPHASENOISE	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
AN256	文件：395.78 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowVoltageDropLED	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AOB256L	文件：292.83 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOB256LusestrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),CissandCoss.Thisdeviceisideal	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOB256L	文件：297.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD256	文件：307.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOD256	文件：308.53 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOD256	文件：1.00195 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博科胜电子有限公司	OCXO_100M	JH	22+	OCXO	6868	全新正品现货有挂就有现货	询价
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更多OCX256L供应商更新时间2024-4-26 18:01:00

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