订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>NVR1P02T1G>芯片详情
NVR1P02T1G_ON/安森美_MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET中天科工二部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
NVR1P02T1G
- 功能描述:
MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
中天科工半导体(深圳)有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生
- 手机:
13128990370
- 询价:
- 电话:
13128990370
- 地址:
深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B
相近型号
- NVP6114
- NVR5198NLT1G
- NVP5000
- NVS4001NT1G
- NVP2433H
- NVS4409NT1G
- NVP1208N
- NVT2001GMZ
- NVP1204
- NVT2002DP
- NVP1118B
- NVT2002DP,118
- NVP1114B
- NVT2002DP118
- NVP1114A
- NVT2002GD
- NVP1108T
- NVT2002TLH
- NVP1108B
- NVT2003DP
- NVP1108
- NVT2003DP,118
- NVP1104B
- NVT2006BQ
- NVP1104A
- NVT2006BQ,115
- NVP1104
- NVT2006BS
- NVP1004MX
- NVT2006BS,118
- NVMYS8D0N04CTWG
- NVT2006PW
- NVMYS7D3N04CLTWG
- NVT2006PW,118
- NVMYS6D2N06CLTWG
- NVT2008BQ
- NVMYS5D3N04CTWG
- NVT2008BQ,115
- NVMYS4D6N04CLTWG
- NVT2008PW
- NVMYS4D1N06CLTWG
- NVT2008PW,118
- NVMYS3D5N04CTWG
- NVT2010BS,115
- NVMYS3D3N06CLTWG
- NVT2010PW
- NVMYS2D9N04CLTWG
- NVT2010PW,118
- NVMYS2D4N04CTWG
- NVT4557HKX