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NVD5890N分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

NVD5890N
厂商型号

NVD5890N

参数属性

NVD5890N 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个;产品描述:NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

功能描述

Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N?묬hannel DPAK
NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

文件大小

217.46 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-8 17:08:00

NVD5890N规格书详情

Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• MSL 1/260°C

• AEC Q101 Qualified and PPAP Capable

• 100 Avalanche Tested

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

• Motor Drivers

• Pump Drivers for Automotive Braking, Steering and Other High

Current Systems

NVD5890N属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。安森美半导体公司制造生产的NVD5890N晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

  • 产品编号:

    NVD5890NT4G-VF01

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 描述:

    NVD5890 - POWER MOSFET 40V, 123A

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