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NVD5865NL	文件：115.31 Kbytes Page：6 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5865NLT4G	文件：988.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NVD5865NLT4G	文件：115.31 Kbytes Page：6 Pages	Single N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5865NLT4G	文件：115.31 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 60 V, 46 A, 16 m, Single N?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
5865NLG	文件：991.03 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BH-S5865	文件：23.16 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PRITRNASFORMERS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
BH-S5865E	文件：23.26 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PRITRNASFORMERS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
DM5865	文件：68.43 Kbytes Page：3 Pages	4-Channel720HVideoDecodersandAudioCodecs	DAVICOM 联杰	DAVICOM
HI5865	文件：29.62 Kbytes Page：2 Pages	12-Bit,65MSPSA/DConverter Description TheHI5865isamonolithic,12-bit,65MSPSAnalog-toDigitalConverterfabricatedinanadvancedCMOSprocess.Itisdesignedforhighspeed,highresolutionapplicationswherewidebandwidth,lowpowerconsumptionandexcellentSINADperformanceareessential.Witha250MHzfullpowe	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HI5865IN	文件：29.62 Kbytes Page：2 Pages	12-Bit,65MSPSA/DConverter Description TheHI5865isamonolithic,12-bit,65MSPSAnalog-toDigitalConverterfabricatedinanadvancedCMOSprocess.Itisdesignedforhighspeed,highresolutionapplicationswherewidebandwidth,lowpowerconsumptionandexcellentSINADperformanceareessential.Witha250MHzfullpowe	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
MAX5865	文件：2.14458 Mbytes Page：26 Pages	Ultra-Low-Power,High-Dynamic-Performance,40MspsAnalogFrontEnd	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX5865E/D	文件：2.14458 Mbytes Page：26 Pages	Ultra-Low-Power,High-Dynamic-Performance,40MspsAnalogFrontEnd	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX5865ETM	文件：2.14458 Mbytes Page：26 Pages	Ultra-Low-Power,High-Dynamic-Performance,40MspsAnalogFrontEnd	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MSM5865SEV	文件：37.7 Kbytes Page：1 Pages	MICROSPACEMSM586PC/104ProcessorBoardwithLANVGA/LCD	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
NTD5865	文件：113.99 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60V,38A,18m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5865	文件：108.19 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5865	文件：452.59 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features LowGateCharge FastSwitching HighCurrentCapability • VDS(V)=60V ID=46A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
NTD5865N	文件：2.23362 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5865N	文件：113.99 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60V,38A,18m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5865NL	文件：275.43 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET60V,40A,16m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
NVD5865NL
功能描述：
MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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