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NTTFS4800NTAG	文件：148.97 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 32 A, Single N?묬hannel, 關8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
4800	文件：132.97 Kbytes Page：2 Pages	UltraPrecisionBulkMetalFilmResistors	WELWYN Welwyn Components Limited	WELWYN
4800	文件：1.01357 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800	文件：410.61 Kbytes Page：3 Pages	Idealresistorforprecisioninstrumentation	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
4800	文件：303.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelReducdedQg,FastSwitchingMOSFET	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
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4800AX	文件：337.39 Kbytes Page：1 Pages	TUBEAXIAL Tubeaxial	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
4800B	文件：227.9 Kbytes Page：1 Pages	ThinFilmMediumBodyGullWing Features ■Leadfreeversionsavailable(seeHowtoOrder“Termination”option) ■RoHScompliant(leadfreeversion)* ■Increasedleaddensity ■Customcircuitsavailableperfactory	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4800B	文件：364.21 Kbytes Page：3 Pages	ThickFilmSurfaceMountedMediumBody	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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4800CGM	文件：1.00663 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
NTTFS4800NTAG
功能描述：
MOSFET NFET U8FL 30V 28A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市和悦电子贸易有限公司	NTTFS4800NTAG	ONSEMI			1500		询价
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详细参数

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