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NTR4501NT3G	文件：62.57 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N?묬hannel, SOT??3 Features •LeadingPlanarTechnologyforLowGateCharge/FastSwitching •2.5VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •Pb−FreePackageisAvailable Applications •Load/PowerSwitchforPortables •Load/PowerSwitchforComputing •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTR4501NT3	文件：62.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET20V,3.2A,SingleN?묬hannel,SOT??3 Features •LeadingPlanarTechnologyforLowGateCharge/FastSwitching •2.5VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •Pb−FreePackageisAvailable Applications •Load/PowerSwitchforPortables •Load/PowerSwitchforComputing •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTR4501NT3G

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Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N?묬hannel, SOT??3

Features •LeadingPlanarTechnologyforLowGateCharge/FastSwitching •2.5VRatedforLowVoltageGateDrive •SOT−23SurfaceMountforSmallFootprint •Pb−FreePackageisAvailable Applications •Load/PowerSwitchforPortables •Load/PowerSwitchforComputing •

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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NTR4501NT3

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PowerMOSFET20V,3.2A,SingleN?묬hannel,SOT??3

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

详细参数

型号：
NTR4501NT3G
功能描述：
MOSFET 20V 3.2A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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