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NTMD6N04R2G

MOSFET – Power, Dual N-Channel, SOIC-8 40 V, 5.8 A

Features •Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications •UltraLowOn−ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife −RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) −RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) •MiniatureSOIC−8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMD6N04R2G

Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMD6N04R2G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMD6N04R2G

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NTMD6N04R2

PowerMOSFET40V,5.8A,DualN-ChannelSOIC-8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMD6N04R2

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVMD6N04R2G

MOSFET–Power,DualN-Channel,SOIC-840V,5.8A

Features •Designedforuseinlowvoltage,highspeedswitchingapplications •UltraLowOn−ResistanceProvides HigherEfficiencyandExtendsBatteryLife −RDS(on)=0.027,VGS=10V(Typ) −RDS(on)=0.034,VGS=4.5V(Typ) •MiniatureSOIC−8SurfaceMountPackageSavesBoardSpac

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安森美半导体安森美半导体公司

NVMD6N04R2G

PowerMOSFET

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详细参数

  • 型号:

    NTMD6N04R2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Bychip
23+
SOP8
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ON/安森美
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更多NTMD6N04R2G供应商 更新时间2024-6-10 14:04:00