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NTMD6N02R2G

Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMD6N02R2G

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

NTMD6N02R2

PowerMOSFET6.0Amps,20Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NTMD6N02R2

PowerMOSFET6.0Amps,20Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NTMD6N02R2G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 20V 0.035R TR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi
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8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
30000
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更多NTMD6N02R2G供应商 更新时间2024-6-9 14:14:00