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CDA3N08-G	文件：126.6 Kbytes Page：2 Pages	SteeringDiodeArrays-ESDSuppressors Features •(16kV)IEC61000-4-2capable •FastReverseRecoveryTime •FastTurnonTime •LowCapacitance •SMDPackages Applications •SignalTermination •SignalConditioning •ESDSuppression •TransientSuppression	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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DN3N08TTE	文件：211.15 Kbytes Page：2 Pages	diodeterminatornetwork	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
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MTD3N08LD	文件：346.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD3N08LI	文件：360.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP3N08L	文件：301.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RFD3N08	文件：69.22 Kbytes Page：8 Pages	3A,80V,0.800Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD3N08LandRFD3N08LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFD3N08L	文件：69.22 Kbytes Page：8 Pages	3A,80V,0.800Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD3N08LandRFD3N08LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
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详细参数

型号：
NTMD3N08/D
功能描述：
80 V Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百诺芯科技有限公司	NTMD3N08L	ON/安森美	23+	SO-8	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	NTMD3N08L	ON	1709+	SOP8	45000	普通	询价
深圳市百域芯科技有限公司	NTMD3N08L	ON/安森美	21+	SO-8	30000	优势供应实单必成可13点增值税	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NTMD3N08L	ON	22+	SO-8	3000	原装正品,支持实单	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	NTMD3N08L	ON/安森美	22+	SO-8	18000	原装正品	询价
深圳市华集芯实业有限公司	NTMD3N08L	ON/安森美	23+	SO-8	6000	公司十几年如一日,只做原装正品,优势渠道保证每一片	询价
深圳市晨豪科技有限公司	NTMD3N08L	ON/安森美	23+	SOP-8	89630	当天发货全新原装现货	询价
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深圳市博浩通科技有限公司	NTMD3N08LR2	ON	23+	SOP8	1001	优势库存	询价
深圳市近平电子有限公司	NTMD3N08LR2	ON	6000	面议	19	SMD	询价

更多NTMD3N08/D供应商更新时间2024-6-10 9:10:00

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