| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装标准 |
34816 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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ON/安森美1206A-8 |
41316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美1206A-8 |
37048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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ON/安森美CHIPFET-8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯球通科技有限公司10年
留言
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ON(安森美)SMD-8 |
10033 |
23+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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ONCHIPFET-8 |
3000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-8 |
1582 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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ON1206A-8 |
9000 |
2018+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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80000 |
2410+ |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ON1206A-8 |
17459 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美ChipFET |
60000 |
21+ |
只售原装进口正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
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ONSEMICHIPFET |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
留言
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ON/安森美ChipFET1206-8 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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深圳市迈锐达科技有限公司15年
留言
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ONSMD-8 |
45 |
N/A |
低于市场价,实单必成,QQ1562321770 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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ON(安森美)SMD-8 |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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ON1206A-8 |
6000 |
15+ |
原装现货 支持实单 |
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深圳航星空电子技术有限公司2年
留言
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ON1206A-8 |
20000 |
22+ |
只做原装 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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ON/安森美1206-8 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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ON面议 |
19 |
6000 |
1206A-8 |
NTHD4102P采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTHD4102P图片
NTHD4102PT1G价格
NTHD4102PT1G价格：￥0.7807品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTHD4102PT1G多少钱，想知道NTHD4102PT1G价格是多少？参考价：￥0.7807。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTHD4102PT1G批发价格及采购报价，NTHD4102PT1G销售排行榜及行情走势，NTHD4102PT1G报价。
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更多NTHD4102P制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET
NTHD4102P_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -20 V, -4.1 A, Dual P-Channel ChipFET
NTHD4102PT1功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102PT1G功能描述:MOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD4102PT3G功能描述:MOSFET PFET 20V 4.8A 80M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
