| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装标准 |
38367 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美N/A |
25048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT523 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SC-75 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ONSOT523 |
48000 |
19+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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ON(安森美)SC-89 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT523 |
30000 |
21+ |
ON一级代理商 原装进口现货 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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ONSOT523 |
23000 |
22+ |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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ONSOT-523 |
81000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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ONSOT-523 |
16422 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美N/A |
29316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)SC-89 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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安森美SC-89 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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54000 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美SOT-523 |
25000 |
21+ |
全新原装正品,特价供应,样片可出,可开发票,欢迎咨询 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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ONSOT523 |
48000 |
19+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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ON/安森美SOT-523 |
30000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT523 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT-523 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
NTE415采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTE415图片
NTE4153NT1G价格
NTE4153NT1G价格：￥0.3170品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTE4153NT1G多少钱，想知道NTE4153NT1G价格是多少？参考价：￥0.3170。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，NTE4153NT1G批发价格及采购报价，NTE4153NT1G销售排行榜及行情走势，NTE4153NT1G报价。
NTE4153NT1G资讯
NTE4151PT1G SOT-523 P沟道场效应管 20V0.76A ON进口原装现货
NTE4151PT1GSOT-523P沟道场效应管20V0.76AON进口原装现货
NTE4153NT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTE4151P制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −760 mA, Single P−Channel, Gate Zener, SC−75, SC−89
NTE4151PT1G功能描述:MOSFET -20V -760mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTE4153NT1G功能描述:MOSFET 20V 915mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
