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V30120S	文件：162.9 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30120S	文件：136.8 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V30120S	文件：228.42 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V30120SG	文件：168.27 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.47VatIF=5A High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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V30120SG	文件：141.11 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VB30120C	文件：158.28 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
NTE30120
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
LED Uni-Color 400nm 2-Pin T-1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市惊羽科技有限公司	NTE30120	NTE	24+25+/26+27+	车规-光电器件	43788	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
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