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NTD70N03R-001	文件：995.71 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTD70N03R-1G	文件：995.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD70N03RG	文件：91.36 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 72 A, 25 V, N-Channel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD70N03RG	文件：1.00246 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD70N03RT4	文件：91.36 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 72 A, 25 V, N-Channel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD70N03RT4G	文件：91.36 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 72 A, 25 V, N-Channel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD70N03TR4	文件：1.00246 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
NTD70N03
功能描述：
MOSFET 25V 75A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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